Сусь Б. Б. Перебудова енергетичних зон і закономірності тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах Ge і Si

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0406U002321

Облікова картка дисертації

0406U002321.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-05-2006

Спеціалізована вчена рада

Д26.001.31

Анотація

У дисертації досліджені тензорезистивні ефекти в Si і Ge n- і р-типу в умовах сильного одновісного тиску у зв'язку зі змінами енергетичної структури кристалів. Встановлено, що в нейтронно-легованому n-Si має місце деформаційно-індукована іонізація дефектів технологічного походження. Визначені енергії активації термодонорів технологічного походження. Причиною деформаційно-індукованого фазового переходу метал-ізолятор в n-Ge(Sb) є перебудова зони провідності Ge, яка характеризується збільшенням ефективної маси електронів при сильному одновісному тиску в напрямку [100]. Тензоопір р-Si в умовах сильного одновісного тиску визначається як ефектом переселення носіїв із зони "легких" у зону "важких" дірок, так і перебудовою валентної зони.

Читати повністю

Файли

01_title.doc

02_zmist.doc

03_vstup.doc

04_rozdil1.doc

05_rozdil2.doc

06_rozdil3.doc

07_rozdil4.doc

08_rozdil5.doc

09_vysnovky.doc

10_literatura.doc

11_dodatky_AB.doc

12_Dodatok_V.doc

avtoref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах