Лучечко А. П. Механізми рекомбінаційного свічення в складних оксидах з домішками іонів перехідних металів

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0406U003836

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

20-09-2006

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Встановлено зв'язок між центрами захоплення носіїв заряду та кінетикою загасання свічення у сполуках системи beta-Ga2O3-In2O3-SnO2, активованих домішковими іонами хрому. Показано можливість застосування цих сполук для реєстрації дози УФ-випромінювання. Досліджено вплив домішки магнію і відпалу у відновному середовищі на люмінесцентні властивості та процеси захоплення носіїв заряду в монокристалах і монокристалічних плівках (МП) гранатів. Розглянуто закономірності зміни валентних станів іонів ітербію залежно від технологічних особливостей отримання МП гранатів. Запропоновано модель центрів, відповідальних за локальну компенсацію надлишкового заряду, створеного іонами Fe3+, та механізми рекомбінаційного збудження "червоної" смуги свічення в кристалах вольфраматів цинку та кадмію.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах