Сидор О. М. Дослідження фоточутливих поверхнево-бар'єрних структур на основі індієвого та мідно-індієвого селенідів

У роботі створено якісні і відтворювані поверхнево-бар'єрні структури метал/p-CuInSe2 (метал - Іn, Sn, Zn), визначено та інтерпретовано механізми проходження струму, вперше з єдиної точки зору проведено зіставлення експериментальних результатів з відомими теоретичними виразами. Вперше встановлено закономірності формування власного оксиду на поверхні InSe внаслідок довготривалого термічного окислення (до 5 діб) та досліджено його вплив на електричні, фотоелектричні, властивості гетеропереходів (ГП) власний оксид - InSe. Зафіксовано позитивний вплив невеликих доз (< 300 Р) гамма-опромінення на дані переходи. У роботі вперше розглянуто можливість оптимізації фотоелектричних параметрів структур власний оксид-p-InSe, внаслідок чого к.к.д. доведено до 5,9 %. Вперше показана можливість створення методом термічного окислення випростовуючих ізотипних ГП власний оксид/n-InSe, оксидних n-p-n та n-n-n фототранзисторів на основі InSe та низькорозмірних утворень на межі розділу оксид - шаруватий напівпровідник. Приведено результати досліджень електричних та фотоелектричних властивостей оптичного контакту n-InSe - p-CuInSe2.