Марколенко П. Ю. Перемикання в тиристорних структурах при високому рівні інжекції і дії зовнішніх чинників (світло, магнітне поле, радіація)

Дисертація присвячена вивченню процесів переключення напівпровідникових p-n-p-n-структур та впливу на них електричних і магнітних полів, світла та радіації.Захищається наукова праця, в якій розглядаються і математичні моделі p-n-p-n-структур. Досліджений динамічний процес вмикання p-n-p-n-структури з урахуванням значення базового струму, який приводить до переключення структури у відкритий стан. Надана загальна характеристика методів запобігання вмикання паразитних p-n-p-n-структур в інтегральних транзисторних мікросхемах. Вирішується двовимірне рівняння Пуассона з метою визначення зв’язку між потенціалом на електроді та шириною струмопровідного каналу, який з’єднує один з емітерів p-n-p-n-структури з базою другого емітера.Розглянутий засіб переключення фототиристора зовнішнім випромінюванням і розрахована величина мінімального імпульсу світла, достатнього для переключення. Досліджена дія радіації на параметри переключення p-n-p-n-структур. Описана схема випрямляча змінного струму на основі тиристора,який керується зовнішнім магнітним полем