Цибуляк Б. З. Вплив зовнішніх факторів на електрофізичні властивості приповерхневого шару базисних граней кристалів CdS

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0406U004752

Облікова картка дисертації

0406U004752.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

08-11-2006

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Дисертація присвячена вивченню процесів перебудови дефектної структури приповерхневого шару базисних граней кристалів CdS. Вперше виявлено явище емісії електронів з базисних граней кристалів CdS без попереднього збудження поверхні при їх охолодженні від кімнатної температури до температури рідкого азоту. Інтенсивність потоку електронної емісії з Cd-грані CdS залежить від провідності монокристалів та дії певних зовнішніх факторів. Запропоновано механізм перебудови структурних дефектів приповерхневого шару грані (000І) CdS при охолодженні. Суть його полягає у зміні конфігурації принаймні двох метастабільних структурних дефектів з вивільненням певної кількості додаткових вільних електронів, які під дією пірополя емітують у вакуум. Встановлено граничні дози опромінення, які дозволяють покращити та стабілізувати параметри приладів на базі бар'єрів Шотткі метал-CdS.

Читати повністю

Файли

dis.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах