Панківський Ю. І. Еволюція метастабільних станів у неспівмірних фазах невласних сегнетоелектричних та сегнетоеластичних кристалів

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0406U004753

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

08-11-2006

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Оптичними та діелектричними методами досліджено еволюцію метастабільних станів у неспівмірних фазах кристалів [N(CH3)4]2МеCl4 (Me = Cu, Zn, Fe), (CH3)3NCH2COOHCaCl2 2H2O, RbHSeO4, MgSiF6*6H2O, MgGeF6*6H2O. З'ясовано, що в умовах "в'язкої" взаємодії модульованої структури з дефектами неспівмірну фазу можна розглядати як послідовність метастабільних станів, розділених перехідними за температурою областями. Показано, що відмінність аномалій оптичного двозаломлення для різних напрямів поширення світла зумовлена фазою параметра порядку вздовж осі модуляції та хвильовим вектором неспівмірної модуляції в напрямах, перпендикулярних до цієї осі. Виявлено новий стан неспівмiрно модульованої структури, як суперпозицію декількох хвиль модуляції в одному кристалофізичному напрямі.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах