Чупира С. М. Електронні процеси у напівпровідниках в умовах фото-Ганн-ефекту

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0407U001327

Облікова картка дисертації

0407U001327.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-02-2007

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Встановлено основні закономірності фотовідгуку системи носіїв, зумовленого наявністю флуктуацій освітлення в умовах існування фото-Ганн-ефекту. Досліджено особливості впливу зовнішніх керуючих параметрів і просторово-часового розподілу інтенсивності освітлення в умовах фото-Ганн-ефекту на динаміку фазових станів електронної підсистеми та просторово-часові розподіли внутрішнього електричного поля і концентрації носіїв заряду.

Читати повністю

Файли

Diser.doc

aref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах