Зуєв С. О. Особливості роботи арсенід-галієвих польових транзисторів Шоткі в напружених режимах

Мета - розвиток загальної теорії GaAs польових транзисторів Шоткі (ПТШ) у напрямку врахування специфіки розігріву й розсіювання носіїв при напружених режимах роботи й формуванні струмового й теплового пробоїв. Об'єкт - швидкозмінні фізичні процеси і явища переносу заряду, що визначають динаміку процесів вмикання, вимикання й розвитку лавинного пробою в ПТШ. Методи - FACR, метод кінцевих різниць для розв'язання рівняння Пуассона; модифікований метод Ейлера для розв'язання рівнянь руху; неявний метод прогону для розв'язання рівняння теплопровідності; метод великих часток (Монте-Карло) для розв'язання рівняння Больцмана. Результати - створено пакет програм моделювання напружених струмових режимів ПТШ; отримано результати чисельних експериментів. Впроваджено - у виробництво потужнострумових напівпровідникових приладів. Галузь використання - технологія і виробництво мікросхем і цифрових приладів