Даньків О. О. Вплив деформації на електронні та діркові стани в напружених квантових точках InAs/GaAs

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0407U002247

Облікова картка дисертації

0407U002247.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-04-2007

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Дисертація присвячена теоретичному дослідженню перебудови локалізованих електронних та діркових рівнів у напружених сферичних та циліндричних квантових точках InAs/GaAs різних розмірів під впливом самоузгодженої деформації матеріалу квантової точки і оточуючої матриці та зовнішнього тиску. В роботі розроблено метод розрахунку баричного коефіцієнта в квантово-розмірних нульвимірних напівпровідникових структурах.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах