ГЛУХОВ К. Є. Електронні стани надґраток і вплив на них дефектів росту та зовнішніх факторів

Дисертаційна робота присвячена дослідженню енергетичних станів електронної підсистеми напівпровідникових надграток. Вивчено симетрійно-топологічні особливості будови валентної зони кубічних напівпровідників типів АIV та AIIIBV, а також надґраток на їх основі. У роботі одержано вигляд граничних умов, що накладаються на обвідні функції та їх похідні на гетеропереходах надґраток з кусково-гладкою просторовою залежністю матеріальних параметрів. Одержано загальний вигляд матриці перенесення для надґратки з довільним профілем потенціалу та проведено розрахунок енергетичних станів у відповідній моделі. При першопринципних дослідженнях структурної релаксації ряду симетричних надґраток (GaAs)N/(AlAs)N, визначено параметри неоднорідного поля зміщень в околі гетерограниць. Встановлено вигляд додаткових членів ефективного гамільтоніана, які виникають при врахуванні індукованого всебічним тиском поля деформацій, а також знайдені відповідні граничні умови.