Кульчинський В. В. Електричні та фотоелектричні процеси в сонячних елементах, детекторах оптичного та гамма-випромінювання на основі CdxHg1-xTe (x>0.6)

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0407U002781

Облікова картка дисертації

0407U002781.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

25-05-2007

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Досліджені електричні та фотоелектричні процеси в сонячних елементах, детекторах оптичного та гамма-випромінювання на основі CdxHg1-xTe (x>0.6). Доведено, що CdxHg1-xTe (x=0.64, 0.71) придатні для виготовлення детекторів для волоконно-оптичних ліній з'вязку. Сформульовано вимоги до Cd0.8Hg0.2Te для ефективного використання у сонячних елементах. Показано переваги CdxHg1-xTe (x>0.6) детекторів гамма-випромінювання порівняно з такими приладами на основі CdTe.

Читати повністю

Файли

Diser--Рoзділ 1.doc

Diser--РОЗДiЛ 4 + Список літератури + Додаток.doc

Diser--Роздiл 2.doc

Diser--Роздiл 3.doc

aref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах