Любченко С. Г. Явища переносу і квантові розмірні ефекти в тонких плівках телуриду свинцю і вісмуту та структурах на їх основі

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0407U004090

Облікова картка дисертації

0407U004090.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-09-2007

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів НАН України

Анотація

Об'єкт дослідження - квантові розмірні ефекти у явищах переносу в тонких плівках та тонкоплівкових структурах. Мета дослідження - виявлення впливу квантових розмірних ефектів на кінетичні властивості тонких плівок PbTe, Bi та гетероструктур PbTe/Bi шляхом дослідження явищ переносу в залежності від товщини тонких шарів, температури, концентрації носіїв заряду. Результати, новізна: Встановлено, що залежності кінетичних властивостей від товщини тонких плівок PbTe, Bi та від товщини шару Bi в гетероструктурах слюда/PbTe/Bi/Al2O3 мають осцилюючий характер, що пов'язується із квантуванням енергетичного спектру носіїв заряду. Встановлено, що із зменшенням товщини плівок Bi при d=25 нм має місце перехід напівметал - напівпровідник та при зменшенні d у напівпровідниковій області ширина забороненої зони зростає. Показано, що процеси окислення суттєво змінюють товщинні залежності кінетичних властивостей тонких плівок PbTe без захисного покриття при кімнатній температурі.

Читати повністю

Файли

aref_Lyubchenko.doc

dissertacia_Lyubchenko.doc

dissertacia_Lyubchenko.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах