Герман І. І. Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0407U004553

Облікова картка дисертації

0407U004553.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-10-2007

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Досліджено фізичні процеси, що визначають електричні, оптичні, фотоелектричні характеристики діодів на основі Hg3In2Te6. У спектральному діапазоні 0,4-1,7 мкм знайдені показник заломлення та коефіцієнт екстинції. Перенос заряду в Au-Hg3In2Te6 і Ni-Hg3In2Te6 діодах описано теорією Саа-Нойса-Шоклі з урахуванням процесів у діоді Шотткі. Основним механізмом переносу заряду в структурі ITO/Hg3In2Te6 є надбар'єрне проходження електронів. Пояснено експериментальні спектри фоточутливості діодів.

Читати повністю

Файли

AVTOREFERAT TAR.doc

DUSER-DODATOK.doc

DUSER-DODATOK1.doc

DUSER-LITERATYRA.doc

DUSER-ROZDIL 1.doc

DUSER-ROZDIL 2.doc

DUSER-ROZDIL 3.doc

DUSER-ROZDIL 4.doc

DUSER-TUTYLKA.doc

DUSER-VSTYP.doc

DUSER-VUSNOVKU.doc

DUSER-YMOVNI POZNACHENNIA.doc

DUSER-ZMIST.doc

TUTYLKA.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах