Шопа Р. Я. Температурна поведінка оптичної анізотропії нелінійних діелектриків з центросиметричною парафазою

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0407U004692

Облікова картка дисертації

0407U004692.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-10-2007

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Досліджено вплив ізоморфного та ізотопічного заміщення, температурної еволюції структури на кристалооптичні, діелектричні та дилатометричні властивості нелінійних анізотропних діелектриків з вихідною центросиметричною фазою. Показано, що оптичну активність у нелінійних діелектриках з центросиметричними парафазами можна вважати вторинним параметром порядку. Доведено практичність врахування першої флуктуаційної поправки до теорії Ландау для опису температурної поведінки оптичних та діелектричних характеристик. Встановлено подібність взаємодії структура-дефекти за умов повільних змін температури в несумірних фазах "re-enter" до взаємодій в інших типах несумірних фаз.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.pdf

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах