Воробець О. І. МОДИФІКАЦІЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ БАР'ЄРНИХ СТРУКТУР МЕТАЛ - ХАЛЬКОГЕНІДНИЙ НАПІВПРОВІДНИК ІМПУЛЬСНИМ ЛАЗЕРНИМ ОПРОМІНЕННЯМ

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0408U000308

Облікова картка дисертації

0408U000308.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

28-12-2007

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Досліджено вплив малопотужного лазерного опромінення на кінетику фізико-хімічних про- цесів у твердій фазі та електрофізичні харак- теристики поверхнево-бар'єрних структур Ме - А2В6, А3В6, А4В6. Показано, що модифікація характеристик структур Ме-CdTe зумовлена змінами домішково-дефектної системи в об- ласті просторового заряду, а структур Ме-In4Se3, Ме-PbSnTe - зміною фазового складу приконтактного шару (In4Se3 - In2Se, InSe; PbSnTe - PbTe).

Читати повністю

Файли

aref.doc

Зміст,Вступ,Титульна,Розділ 1.doc

Розділ 2.doc

Розділ 2.doc

Розділ 3.doc

Розділ 3.doc

Розділ 4, Література.doc

Розділ 4, Література.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах