Панкевич В. З. Одержання та властивості монокристалів нових тетрарних сполук AgCd2GaS4, AgGaGeS4, AgGaGe3Se8

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0408U001481

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

14-03-2008

Спеціалізована вчена рада

К.32.051.01

Анотація

Розроблено технологічні умови вирощування великих монокристалів тетрарних сполук AgCd2GaS4, AgGaGeS4, AgGaGe3Se8. На одержаних монокристалах були досліджені частотна залежність коефіцієнта поглинання світла, температурні залежності темнової електропровідності, спектральні розподіли фотопровідності, люмінесценції та спектри її збудження. Встановлено за знаком коефіцієнта

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах