Клим Г. І. Вплив структурної неоднорідності на вологосорбційні фізичні процеси в нанопоруватій діелектричній кераміці MgAl2O4

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0408U001935

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-03-2008

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Встановлено, що розгалужена порувата структура кераміки MgAl2O4 з тримодальним розподілом пор за розмірами забезпечує її вологочутливість на ділянці відносної вологості 25-95 %. Запропоновано модель позитронної анігіляції в нанопоруватій діелектричній кераміці MgAl2O4, яка містить канали захоплення позитронів об'ємними дефектами та розпад атомів орто-позитронію. Уперше виявлено ефект каталітичного впливу процесів вологопоглинання в кераміці MgAl2O4 на параметри захоплення позитронів об'ємними дефектами.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах