Майструк Е. В. Магнітні, кінетичні і оптичні властивості кристалів Hg1-xMnxTe1-zSz та Hg1-x-yMnxFeyTe

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0408U005432

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

28-11-2008

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Особливості магнітних властивостей кристалів Hg1-xMnxTe1-zSz та Hg1-x-yMnxFeyTe обумовлені кластерами різних типів і розмірів, в яких мають місце обмінні прямі і непрямі взаємодії (обумовлені наявністю в кристалах атомів 3d-елементів Mn та Fe), та змінами в кластерній підсистемі кристалів в результаті термообробки. Збільшення вмісту або термообробка в парах сірки Hg1-xMnxTe1-zSz приводить до зростання електронного вкладу в кінетичні коефіцієнти і до росту коефіцієнта термоелектричної добротності. Наявність гігантського відносного магнітоопору в Hg1-x-yMnxFeyTe обумовлена спіновою поляризацією та наступним розсіюванням електронів на кластерах Mn-Te-Mn-Те, а в Hg1-xMnxTe1-zSz спостерігається при складах близьких до переходу "безщілинний напівпровідник - звичайний напівпровідник" (БН-ЗН). Зонні параметри одержані із кінетичних і оптичних досліджень (на основі останніх виявлені прямі міжзонні оптичні переходи) добре узгоджуються, дозволили визначити склади, при яких відбувається перехід БН-ЗН в досліджуваних кристалах, та побудувати схему зонної структури Hg1-x-yMnxFeyTe.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах