Гривул В. І. Вплив домішки олова на фізичні властивості широкозонних II-VI сполук

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0408U005435

Облікова картка дисертації

0408U005435.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

28-11-2008

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Установлено, що домішка Sn в ZnSe приводить до збільшення електронної провідності і ефективності блакитної смуги люмінесценції, яка є суперпозицією трьох каналів рекомбінації: анігіляція вільних екситонів, міжзонна рекомбінація і переходи за участю акцепторних центрів. Показано, що дифузія Sn при певних умовах переводить CdTe у напівізолюючий стан, незалежно від типу і величини провідності підкладинок. Уперше отримані дифузійні шари ZnTe:Sn з високою електронною провідністю.

Читати повністю

Файли

DIS_doc-Dis_1.doc

DIS_doc-Dis_2.doc

DIS_doc-Dis_3.doc

DIS_doc-Dis_4.doc

aref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах