Лебединський О. М. Плівки CsI(Tl): структура, сцинтиляційні властивості, формування зображень

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0408U005680

Облікова картка дисертації

0408U005680.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-11-2008

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів НАН України

Анотація

Шляхом вакуумної конденсації було отримано стовбчасті шари діелектричного сцинтилятору CsI(Tl) з відтворюваною морфологією, структурними та сцинтиляційними характеристиками на різних типах підкладки. Методами рентгеноструктурного аналізу й растрової електронної мікроскопії досліджено фізичні процеси формування морфології та кристалічної структури. Встановлено кореляції структурних та сцинтиляційних властивостей стовбчастого плівкового діелектричного сцинтилятору CsI(Tl). Показано можливість формування зображення в гамма - випромінюванні з використанням стовпчастих шарів CsI(Tl). Методом побудови функції передачі модуляції виконано оцінку просторової роздільної здатності шарів CsI(Tl).

Читати повністю

Файли

Disser_Lebedynskiy.doc

autoref_Lebedynskiy.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах