Мирончук Г. Л. Дефектоутворення в монокристалах CdS і CdS:Cu при опроміненні частинками підпорогової енергії.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0409U000306

Облікова картка дисертації

0409U000306.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

16-01-2009

Спеціалізована вчена рада

К 32.051.01

Анотація

Дисертація присвячена дослідженню механізмів утворення дефектів і їх вплив на фотоелектричні і оптичні властивості монокристалів CdS опромінених частинками підпорогової енергії. Встановлено, що основним механізмом підпорогового дефектоутворення є домішково-іонізаційний механізм. Встановлено, що деградація власної фоточутливості в опромінених зразках CdS:Cu зв'язана з утворенням преципітатів, які складаються з двох міжвузлових атомів кадмію.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах