Мислюк О. М. Оптична спінова поляризація електронів у напівмагнітних напівпровідниках при домішковому поглинанні

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0409U000372

Облікова картка дисертації

0409U000372.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-12-2008

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Встановлено закономірності комбінованого впливу типу та параметрів поляризованої світлової хвилі, що задовольняє умовам домішкового поглинання, величини напруженості електричного поля та процесів довготривалої спінової релаксації на ступінь спінової поляризації електронів у напівмагнітних напівпровідниках з глибоким домішковим рівнем. Показано, що у стаціонарному просторово-неоднорідному стані при слабих електричних полях максимальне значення ступеня спінової поляризації зонних електронів досягається при співрозмірних з дифузійною довжиною неосновних носіїв товщинах. Виявлено, що прикладання, окрім лівополяризованого світла, гріючого носії заряду електричного поля може суттєво збільшити ступінь спінової поляризації зонних електронів.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах