Заяць Т. М. Теоретичний опис квазістаціонарних станів, які знаходяться вище порогу утворення збуджених іонів, в задачі іонізації гелію швидкими електронами

Робота містить розробку методу взаємодіючих конфігурацій у зображенні комплексних чисел і його застосування до задачі іонізації атома гелію електронним ударом. Розвинуто підхід, який дозволяє проаналізувати розпад m квазістаціонарних станів у n відкритих каналів. Створено пакет прикладних програм для чисельних розрахунків. Досліджено процеси прямої та резонансної іонізації атома гелію вище порогу N=2. Розраховано спектроскопічні характеристики автоіонізаційних станів, що збігаються до третього порогу атома гелію. Вивчено вплив різних фізичних факторів на спектроскопічні характеристики автоіонізаційних станів. Підхід дозволяє оцінити внесок кожного резонансного стану в переріз процесу. Розраховано співвідношення вкладів в узагальнену силу осцилятора резонансного переходу парціальних станів іона гелію з n=1 та n=2 методом взаємодіючих конфігурацій у зображенні комплексних чисел. Це дозволило відшукати такі кінематичні умови, для яких спостерігається переважне заселення збудженого cтану залишкового іонаНе+ з n=2 над основним станом Не+ - n=1. Одержано положення та ширини синглетних 1S, 1P, 1D, 1F квазістаціонарних станів, що збігаються до порогу N=3 атома гелію.