Оптасюк С. В. Вплив мікроструктурних перетворень на люмінесценцію низькорозмірних ZnS, CdSe

Дисертаційна робота присвячена дослідженню закономірностей впливу на люмінесцентні характеристики мікроструктурних перетворень, обумовлених дифузійними процесами домішок, а також процесами, що впливають на формування випромінюючих центрів і їх оточення внаслідок термічного відпалу та зовнішніх впливів у низькорозмірних ZnS, CdSe. На основі аналізу люмінесцентних характеристик досліджено процеси дифузії Ga в порошкоподібному ZnS при низькотемпературному легуванні з урахуванням впливу зовнішніх факторів. Запропоновано робочі моделі процесів дифузії Ga в ZnS при низькотемпературному легуванні ZnS металічним галієм та дії зовнішніх факторів. Показано взаємозв'язок зміни люмінесцентних характеристик і дифузійних процесів Mn в ZnS, що протікають в матеріалі на посттехнологічному етапі. З'ясовано, що дифузія Mn в ZnS реалізується декількома каналами - швидкого і повільного протікання дифузії. Встановлено, що обробка енергетично слабкими магнітними полями люмінофорів на основі ZnS:Mn призводить до перерозподілу ефективності між каналами збудження Mn2+ в порошкових люмінофорах ZnS:Mn. Встановлено перерозподіл інтенсивності смуг люмінесценції в квантових точках CdSe під дією електричного поля, який обумовлений перекачкою фотозбуджених носіїв заряду з квантової ями на дефектно-поверхневі стани в наночастинці CdSe.