Сидор О. А. Розробка радіаційно-стійких фотодіодів на основі шаруватих структур селенідів індію та галію

У роботі розроблено фізико-технологічні основи отримання лазерним випромінюванням фотодіодів (ФД) на основі p-InSe, досліджено їх характеристики, запропоновано модель формування p-n-переходу при лазерному опроміненні шаруватих кристалів. Вперше виявлено "ефект малих доз" при Х- та гамма-опроміненні ФД власний оксид-p-InSe і n-InSe-р-InSe, приведено якісне пояснення природи даного ефекту та запропоновано технологію покращення параметрів ФД на основі шаруватих кристалів низькодозовим опроміненням до 300 Р. Вперше досліджено вплив гальмівних гамма-квантів (Ееф = 3 МеВ, D = 0,14 - 140 кГр) та високоенергетичних електронів (Е = 12 МеВ, D = 3,3 - 330 кГр) на електричні та фотоелектричні характеристики InSe(GaSe) ФД. При цьому спостерігалося поліпшення параметрів ФД, а для максимальних доз - незначне зменшення деяких з них. Вплив радіації зводився до утворення точкових дефектів вакансійного типу. Вперше вивчено вплив гамма-нейтронного (Ееф = 8 МеВ, Ф = 1011 - 1013 см-2) та реакторного нейтронного опромінення(Ееф = 1 МеВ, Ф = 1 1014 - 5 1015 см-2) на параметри InSe(GaSe) ФД. Показано, що радіація призводить до утворення як точкових дефектів, так і кластерів, що є ефективними центрами рекомбінації.