Мартинюк Н. В. Закономірності гасіння люмінесценції та зміни зарядового стану Yb3+ в сильноактивованих монокристалах та епітаксійних плівках Yb:Y3Al5O12.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0409U001400

Облікова картка дисертації

0409U001400.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

06-03-2009

Спеціалізована вчена рада

K32.051.01

Анотація

Дисертація присвячена проблемі впливу точкових дефектів на властивості сильноактивованих монокристалів та епітаксійних монокристалічних плівок Yb:Y3Al5O12, перспективних матеріалів для активних середовищ дискових лазерів. Досліджено закономірності впливу домішкових йонів на люмінесцентні властивості матеріалів, а також на перебіг процесів зміни зарядового стану йонів Yb3+ - Yb2+, що відбуваються під час окиснювально-відновлювальних високотемпературних відпалів. Для ряду монокристалів Yb:ІАГ одержано концентраційні залежності параметрів кристалічної структури.

Читати повністю

Файли

AR_Martynyuk.pdf

AR_Titul_Martynyuk_1-5.pdf

dis1.doc

dis2.doc

dis3.doc

dis4.doc

dis5.doc

dis6.doc

dis7.doc

dis8.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах