Новосад І. С. Термо- і фотостимульовані процеси в люмінесцентних і світлочутливих матеріалах на основі галогенідів кадмію та свинцю

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0409U001919

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-04-2009

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

У ділянці температур 85-295 К досліджено оптико-спектральні та люмінесцентно-кінетичні характеристики неактивованих і активованих кристалів PbI2, CdI2, CdBr2 при оптичному, лазерному та рентгенівському збудженнях. Вивчено електретні стани в PbI2 та термо- і фотостимульовані оптико-фізичні процеси у PbI2, PbI2:Mn2+, PbI2:Cd2+, PbI2:Eu2+. З'ясовано вплив домішок Cl-, Br-, Pb2+, Eu2+, Mn2+, Сo2+, Ni2+ на випромінювальні процеси та запасання світлосуми в CdI2. У кристалах CdI2:MnCl2,PbI2 і CdI2:MnCl2,EuCl3 виявлено і досліджено сенсибілізоване свічення Mn2+-центрів. Встановлено механізми фотохімічних перетворень, природу центрів люмінесценції та захоплення в кристалах CdBr2:Cu,І. Отримано ефективні сцинтилятор CdI2:MnCl2,EuCl3 та фоточутливий матеріал CdBr2:CuBr,MnCl2,SnCl2.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах