Яцунський І. Р. Вплив процеса окислення на дефектоутворення в легованому кремнію

В дисертації на основі проведених за допомогою сучасних методів досліджень визначена реальна дефектна структура приповерхневих шарів кремнію в системі Si-SiO2. У результаті появи механічних напруг і деформацій у приповерхневій області кремнію утворюється складна структура, що складається з області сильно разупорядкованого кремнію й області яка містить дислокаційні сітки. На границі області разупорядкованого кремнію й області дислокаційних сіток спостерігається стрибок величини механічних напруг, що виникає внаслідок прискореної дифузії кисню уздовж структурних дефектів у процесі окислення, що й приводить до стрибка щільності рівнів захоплення електронів. Ширина приповерхньої області кремнію, що містить разупорядкований кремній і дислокаційні сітки залежить від рівня локалізованих на межі розподілу механічних напруг. На основі моделі приповерхневих шарів окисленого кремнію побудована модель струмопереносу в інверсійному каналі польових МОН - приладів. Дана модель враховує факт розсіювання носіїв зарядуна дислокаційних бар'єрах, які присутні у каналі. Глибокі рівні приповерхнього шару кремнію, які утворені границями блоків разупорядкованого кремнію, впливають на баланс між радіаційною чутливістю й термополевой стабільністю параметрів дозиметрів поглинаючої дози іонізуючих випромінювань на основі польових МОН - транзисторів, що дозволяє поліпшити радіаційні й термопольові параметри дозиметрів на основі МОН - структур. У процесі термічного окислення кремнію й шляхом хімічної обробки поверхні пластин, отриманий хімічно - наноструктурований кремній, що випромінює у видимій області спектра. Даний метод дозволяє одержувати фотолюмінісцентні структури в єдиному технологічному циклі при виробництві мікроелектронних приладів з діоксидною ізоляцією.