Мурзін Д. Г. Розширення області безпечної роботи потужних напівпровідникових приладів з об'ємними ділильними шарами.

Дисертація присвячена вивченню методів, спрямованих на розширення області безпечної роботи ПНП за рахунок поліпшення рівномірності розподілу напруженості електричного поля та густини струму в структурі ПНП із ОДШ при збереженні швидкодії й малих енергетичних втрат як у стаціонарному, так і в динамічному режимі. Захищається наукова робота, яка включає результати теоретичних ї експериментальних досліджень по розширенню ОБР потужних напівпровідникових приладів з метою реалізації оптимальної сукупності параметрів потужного напівпровідникового ключа. Представлений конструктивний елемент об'ємний ділильний шар дозволяє істотно підвищити однорідність розподілу електричного поля в області просторового заряду, понизити вірогідність виникнення електричної форми вторинного пробою. Отримано одновимірне наближення вирішення рівняння Пуассона для модельної структури з нескінченно тонкими сильно легованими p+ - елементами, вбудованими в низьколеговану n-базу. Отримана залежність максимальної напруги від місцеположення ОДШ у структурі p-n переходу. Встановлений зв'язок між максимальною динамічною напругою і параметрами структури в ключовому режимі роботи транзистора. Досліджений вплив локальних рекомбінаційних областей, створених опромінюванням альфа — частками, на підвищення швидкодії високовольтних транзисторних структур з ОДШ. Представлені результати експериментальних досліджень можливості застосування техніки ОДШ для розширення ОБР потужних напівпровідникових приладів.