Ковтуненко В. С. Структура аморфних напівпровідників системи Ge-Sb-Se

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0409U003708

Облікова картка дисертації

0409U003708.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

09-10-2009

Спеціалізована вчена рада

К 61.051.01.

Анотація

Проведені комплексні експериментальні дослідження закономірностей формування структури тонких аморфних плівок напівпровідників по всій потрійній системі Ge-Sb-Se на трьох масштабних рівнях: ближній порядок, проміжний порядок, наноструктура. У трикутнику Гібса для системи Ge-Sb-Se вперше виявлено основні концентраційні області, в кожній із яких реалізуються конденсати з суттєво відмінними між собою типами структури атомної сітки та аморфної матриці. Запропонована модель, згідно з якою докорінні відмінності структури аморфних плівок різних груп зумовлені різним масспектрометричним складом парової фази.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах