Войнарович І. М. Структура і стимульовані зміни параметрів об'ємних та плівкових нанокомпозитів Bi(Sb) - As2S3

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0409U004372

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

03-07-2009

Спеціалізована вчена рада

K 61.051.01

Анотація

. Дисертація присвячена дослідженню структури і стимульованих змін параметрів нанокомпозитів на основі халькогенідних напівпровідників системи Bi(Sb) - As2S3 у плівковому і в об'ємному вигляді. Введенням Bi2S3 у As2S3 отримано об'ємні нанокомпозити з неорієнтова-ною або частково орієнтованою кристалічною фазою Bi2S3. Показано, що введення Bi2S3 в халькогенідне скло та термічна обробка вплива-ють на оптичні та електрофізичні властивості композиту.Методом вакуумного циклічного термічного напилення виготовлено якісні бага-тошарові наноструктури з періодами композиційної модуляції від 3 нм і вище. Визначено характер зміни електропровідності та оптичного поглинання, які проходять переважно за рахунок дифузії металу і халькогену. Результатом взаємодифузії є формування молекул або клас-терних структур BiS3/2 або SbS3/2 які можуть залишитися як елементи аморфної матриці або сформуати кристалічну Bi2S3 або аморфну Sb2S3 фазу. Взаємодифузія компонент в наногетероструктурі Bi(Sb)

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах