Скрипник М. В. Властивості фоточутливих діодних структур на основі монокристалічного телуриду кадмію

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0409U005045

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

21-10-2009

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Дисертація присвячена створенню фоточутливих діодних структур на основі монокристалічного телуриду кадмію, комплексному дослідженню їх оптичних, електричних і фотоелектричних властивостей, а також вивченню можливостей практичного застосування. Особливістю даної роботи є використання оригінальних технологічних методів (модифікації поверхні підкладинок, ізовалентного заміщення та фототермічного окислення) для виготовлення поверхнево-бар'єрних діодів (ПБД) та анізотипних гетеропереходів (ГП). Виявлена низка особливостей оптичних властивостей поверхневих шарів відпалених на повітрі підкладинок n-CdTe, які адекватно пояснюються у рамках теорії квантово - розмірних ефектів.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах