Гутич Ю. І. Спектроскопічна діагностика формування напівпровідникових нанокристалів типу А2В6 у діелектричних матрицях

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0409U005070

Облікова картка дисертації

0409U005070.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

06-11-2009

Спеціалізована вчена рада

К 61.051.01

Анотація

Методи оптичної спектроскопії застосовано для діагностики формування та оцінки параметрів нанокристалів типу А2В6 у діелектричних матрицях. Показано, що збільшення тривалості чи температури термообробки веде до зростання концентрації переважаючих атомів халькогену в потрійних нанокристалах CdS1-xSex. Синтезовано ряди четвірних напівпровідникових нанокристалів Cd1-yZnyS1-xSex та CdS1-x-ySexTey, з відповідно двомодовою та тримодовою поведінкою фононного спектру. Виявлено, що при виході за межі оптимального інтервалу параметрів термообробки альтернативою формуванню нанокристалів типу CdSe у боросилікатному склі є утворення кластерів селену Se2.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах