Грушко Є. В. Ефективність фотоелектричного перетворення в тонкоплівкових сонячних елементах та Х-променевих детекторах на основі CdTe

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0409U005519

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

21-10-2009

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

У дисертації наведено результати дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні та фотоелектричні характеристики тонкоплівкових CdS/CdTe сонячних елементів і детекторів з прямим перетворенням Х-променевого зображення в електричні сигнали. Знайдено оптимальні значення параметрів у їх комбінації для досягнення максимально можливої ефективності тонкоплівкового CdS/CdTe сонячного елемента. З'ясовано можливості застосування тонкоплівкової структури CdTe з діодом Шотткі в детекторах з прямим перетворенням Х-променевого зо-браження в електричні сигнали.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах