Коваль Ю. В. Фізико - активні впливи на явища переносу в монокристалах антимоніду кадмію.

Дисертація присвячена з'ясуванню закономірностей впливу дефектів технологічного та радіаційного походження на явища переносу в монокристалах антимоніду кадмію при різних фізико - активних впливах і наявності неоднорідного розподілу легуючої домішки в об'ємі напівпровідника. Виявлено наявність неоднорідностей в розподілі домішок Te та In в монокристалах CdSb. Встановлено вплив шаруватих періодичних неоднорідностей (ШПН) на ефект перемикання з високоомного в низькоомний стан в монокристалах CdSb(Te). Виявлено, що із-за впливу ШПН при збільшенні інтенсивності освітлення у зразках CdSb(Te), вирізаних вздовж осі росту кристала, відбувається різке зростання рухливості та середньої транспортної довжини вільного пробігу носіїв заряду. Встановлено, що при гама-опроміненні монокристалів CdSb(In) спостерігаються максимуми на залежностях рухливості носіїв заряду від дози опромінення та запропоновано модель, яка пояснює дане явище. Запропоновано принципово нову методику для визначення глибини залягання енергетичних рівнів у забороненій зоні напівпровідників, що ґрунтується лише на використанні даних п'єзоопору.