Боледзюк В. Б. Властивості сполук впровадження водню, барію і йоду на основі шаруватих кристалів InSe та GaSe

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0410U004448

Облікова картка дисертації

0410U004448.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

01-10-2010

Спеціалізована вчена рада

Д. 76.051.01

Анотація

Об'єкт дослідження: інтеркальовані шаруваті сполуки А3В6. Мета роботи: встановлення змін властивостей монокристалів InSe та GaSe і нанооб'єктів на їх основі при впровадженні в них водню, барію, йоду. Методи дослідження: Х-променеві, оптичні, імпедансні. Результати досліджень: отримано нанорозмірні сполук шаруватих кристалів InSe та GaSe; встановлена еволюція смуг поглинання шаруватих кристалів під дією впровадженої домішки; досліджено діелектричні властивості водневих інтеркалатів; встановлена оборотність впровадження водню у відсотках. Сфера використання: напівпровідникове матеріалознавство, воднева енергетика

Читати повністю

Файли

aref.doc

diser1.doc

diser1.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах