Воробець М. О. Фотоелектричні властивості гетероконтактів на основі шаруватих кристалів GaSe та InSe

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0410U005407

Облікова картка дисертації

0410U005407.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

25-06-2010

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Представлені дослідження впливу статичного тиску на електричні та фотоелектричні параметри гетеропереходів на основі шаруватих кристалів. Зміни електричних і фотоелектричних параметрів гетероконтакту InSe/GaSe обговорюються з позиції модифікації границі розділу. Показана можливість використання речовини природного походження - мумійо при розробці та створенні фоточутливих структур. Наведено результати досліджень електричних і фотоелектричних властивостей гетероконтактів n-InSe-мумійо, а також спектрів оптичного поглинання плівок мумійо.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis1.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах