Ластівка Г. І. Оптимізація фотоелектричних характеристик гетероструктур на основі моноселенідів індію та галію методом ЯКР

Дисертація присвячена вивченню впливу низькотемпературного відпалу на спектри ЯКР і характеристики гетерофотодіодів на основі p-GaSe-n-InSe. Вперше досконалість монокристалічних зразків GaSe й InSe до і після термообробки оцінювалися за тонкою структурою спектрів ЯКР, що відображають впорядкування політипних модифікацій. Вперше зафіксовано, що покращення основних параметрів гетерофотодіодів, виготовлених методом прямого оптичного контакту, спостерігається при температурах відпалу вихідних матеріалів 150-200 оС. В роботі запропонований метод оцінки якості зразків на наявність розорієнтованих кристалічних блоків використовуючи залежність інтенсивності ЯКР від напряму радіочастотного поля відносно головної кристалічної вісі с.