Луньов С. В. Тензоефекти в багатодолинних напівпровідниках (n-Ge, n-Si)

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0411U000606

Облікова картка дисертації

0411U000606.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-02-2011

Спеціалізована вчена рада

Д 32.051.01

Анотація

Дисертація присвячена вивченню особливостей тензоефектів в кристалах n-Ge та n-Si при наявності технологічних і радіаційних дефектів. Запропоновано метод розрахунку зміни положення глибоких енергетичних рівнів при дії одновісної пружної деформації, на основі якого було визначено баричні коефіцієнти зміни енергетичної щілини між глибоким енергетичним рівнем золота і дном зони провідності n-Ge та глибоким енергетичним рівнем А-центру і дном зони провідності n-Si для різних кристалографічних напрямків. Оцінено ступінь заповнення глибоких рівнів в кристалах n-Ge та n-Si. Досліджено особливості міждолинного розсіяння в кристалах кремнію при високих температурах.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах