Романюк Р. Р. Вплив добавок вісмуту, електронного та гамма-випромінювання на структуру і фізичні властивості аморфних плівок монохалькогенідів германію

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0411U001529

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

09-02-2011

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Встановлено, що під час конденсації плівок GeSe-Bі та GeS-Bi на підкладки при Т=300К формується аморфна структура з тетраедричною координацією атомів Gе і двійною координацією атомів халькогену, а атоми Ві схильні до утворення структурних одиниць пірамідального типу. Показано концентраційні залежності ширини оптичної щілини та показника заломлення плівок, встановлено механізм електропровідності та енергетичне розміщення центрів рекомбінації. Виявлено, що у концентраційному інтервалі вмісту Ві 11-15 ат. % відбувається зміна типу провідності зразків GeSe-Bі та GeS-Bi з р- на n-тип. Радіаційно-індуковані зміни фізичних властивостей аморфних конденсатів пояснюються на підставі деструкційно-полімеризаційних перетворень в структурі плівок.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах