Абашин С. Л. Локалізовані стани носіїв заряду з глибокими рівнями та великомасштабні електричні неоднорідності в кристалах Сd1-xZnxТе і ZnSe

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0411U001740

Облікова картка дисертації

0411U001740.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

25-02-2011

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Робота присвячена дослідженню локалізованих станів носіїв заряду з глибокими рівнями та великомасштабних електричних неоднорідностей у кристалах CdZnTe і ZnSe. Показано, що методом скануючої фотодіелектричної спектроскопії виявляються негативно заряджені й електронейтральні локалізовані стани носіїв. Встановлено, що тривалий відпал при помірно високій температурі та вплив іонізуючих випромінювань призводять до еволюції внутрішніх пружних та електричних полів. Установлено, що визначальну роль у формуванні великомасштабних електричних неоднорідностей у кристалах CdZnTe відіграють дефекти ростової природи.

Читати повністю

Файли

Dis.doc

Dis.doc

aref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах