Кухтарук Н. І. Механізми чутливості вузькозонного Hg1-xCdxTe в терагерцовій та субтерагерцовій областях спектра.

Дисертація присвячена з'ясуванню фізичних механізмів чутливості вузькощілинного напівпровідникового з'єднання кадмій-ртуть-телур в терагерцовій та субтерагерцовій областях спектру при температурах 60 - 300 К. Експериментально встановлена чутливість Hg1-xCdxTe у вказаній спектральній та температурній областях та досліджено її зміни при зміні параметрів напівпровідника або режимів роботи. На основі порівняння отриманих експериментальних результатів з розрахунками в рамках моделі болометра, що працює на ефекті розігріву носіїв в біполярному напівпровіднику показано, що механізмом чутливості досліджуваних приймачів на основі Hg1-xCdxTe в терагерцовій області спектру є розігрів носіїв заряду електромагнітною хвилею, що поширюється в шарі КРТ як у хвилеводі. Оцінено величини шумів, вольт-ватну чутливість і NEP досліджуваних приймачів та визначено режими їх роботи і параметри твердого розчину Hg1-xCdxTe, які дозволяють оптимізувати конструкцію приймачів для роботи при незначному охолодженні.