Калівошка Б. М. Оптичні та електрофізичні властивості фоточутливих матеріалів на основі галоїдних сполук кадмію

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0411U003405

Облікова картка дисертації

0411U003405.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

13-04-2011

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

У температурному інтервалі 85-295 К досліджено оптико-люмінесцентні характеристики кристалів CdBr2, CdBr2:Ag,Cl, CdBr2:Ag,Cl,I, CdBr2:Cu,Pb,Cl. Вперше виявлено формування електретного стану в кристалах CdI2, CdI2:Au, CdI2:Ag і CdI2:Cu при охолодженні в полі температурного градієнта та в процесі опромінення за 295 К світлом з ділянки фоточутливості. Запропоновано механізми фотохромного ефекту, моделі центрів свічення і захоплення у фоточутливих матеріалах на основі CdBr2 і CdI2. Отримано нові фотохромні матеріали CdBr2:Ag,Pb,Cl та CdBr2:Ag,Mn,Cl та новий тип фотовольтаїчного детектора на основі CdI2.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах