Горбенко В. І. Вирощування та люмінесцентні властивості монокристалічних плівок гранатів A3Al5O12 (A=Y, Lu, Tb)

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0411U003406

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

13-04-2011

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Продемонстровано можливість кристалізації нелегованих МП Lu3Al5O12 (LuAG), Tb3Al5O12 (TbAG) та (Eu-Y)3Al5O12 (EuYAG) на підкладках Y3Al5O12 (YAG) без будь-якого додаткового легування для зниження різниці ?a між параметрами ґратки МП і підкладки. Показана можливість ефективної модифікації спектрів свічення люмінофорів на основі легованих іонами Се3+ МП YAG, LuAG та TbAG для використання у різних оптоелектронних пристроях. Встановлено, що в люмінофорах на основі МП TbAG спостерігається ефективне перенесення енергії збудження до ряду РЗ іонів-активаторів (Ce3+, Eu3+) та перехідних металів (Mn2+).

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах