Стахіра Р. Й. Нестаціонарна п'єзофотопровідність кристалів In4Se3

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0411U004026

Облікова картка дисертації

0411U004026.pdf

Здобувач

Стахіра Роман Йосипович

Спеціальність

01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

Дата захисту

16-06-2011

Спеціалізована вчена рада

Д 32.051.01

Анотація

Досліджено складову провідності кристалів In4Se3, яка пропорційна добутку інтенсивності світла і величини тиску п'єзофотопровідності. Встановлено, що спектри п'єзофотопровідності представляють собою систему смуг у спектральних інтервалах яких реалізується почергове зростання і зменшення провідності. Фаза нестаціонарної п'єзофотопровідності є зміщена відносно фази модулюючого тиску на величину кута до П/2 і залежить від енергії кванта світла

Читати повністю

Керівник роботи

Савчин Володимир Павлович

Офіційні опоненти

Лепіх Ярослав Ілліч
Шендеровський Василь Андрійович

Файли

Diser.pdf

aref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах