Євтушенко А. І. Дослідження поверхневих збуджень в оптично-анізотропних монокристалах ZnO та 6H-SiC у однорідному магнітному полі

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0411U004825

Облікова картка дисертації

0411U004825.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

30-09-2011

Спеціалізована вчена рада

Д 61.051.01

ДВНЗ "Ужгородський національний університет"

Анотація

У дисертації наведено результати дослідження методами спектроскопії ІЧ-відбивання та порушеного повного внутрішнього відбивання (ППВВ) полярних одновісних оптично-анізотропних монокристалів ZnO та 6H-SiC при їх розміщені в однорідному магнітному полі та конфігураціях Фарадея і Фогта. Показано, що при дії на кристали магнітного поля, в спектрах ІЧ-відбивання проявляються додаткові осциляції. Вперше зареєстровано магніторефлекційний ефект, розроблено математичну модель, за допомогою якої проведено аналіз спектрів ППВВ монокристалів ZnO та 6H-SiC у магнітному полі та виявлено збурення нової гілки в ZnO і 6H-SiC, визначено коефіцієнти затухання ПП.

Читати повністю

Файли

aref.doc

dis.doc

dis.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах