Свірідова О. В. Вплив вихідних дефектів кремнію на процеси дефектоутворення при легуванні та окисленні

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0411U004916

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

07-10-2011

Спеціалізована вчена рада

Д 41.051.01

Одеський національний університет імені І.І.Мечникова

Анотація

Дисертацію присвячено дослідженню закономірностей впливу вихідних дефектів кремнію на процеси дефектоутворення при легуванні та окисленні. У дисертації досліджено процеси дефектоутворення в кремнії, структурах і приладах на основі кремнію, встановлені механізми трансформації вихідних дефектів в процесах легування і окислення кремнію, а саме: запропоновано і експериментально підтверджено роботами інших авторів механізм утворення двох областей, що розташовані на різних глибинах від поверхні і містять дефекти, які утворюються при іонному легуванні пластин кремнію; встановлено механізм зміцнення кристалів p-кремнію, що містять фонову домішку кисню, яка преципітує на дислокаціях; показано, що шаруватість пластин монокристалічного кремнію є першопричиною виникнення дефектів упаковки в окислених пластинах; описано і експериментально підтверджено механізм трансформації мікродефектів у дефекти упаковки внаслідок окислення пластин кремнію. Побудовано температурні залежності коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-ФП для різної густини дислокацій; встановлено механізми зміни форми температурної залежності коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-ФП при зростанні густини дислокацій; показано, що відбір p-i-n-ФП за S-образністю ВАХ може бути використаний для виявлення фотоприймачів, які містять області розупорядкування у вигляді полікристалічного кремнію.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах