Коноплянко Д. Ю. Інтеркальовані нанокомпозитні конденсатори на основі шаруватих кристалів А3В6

В дисертаційній роботі розроблені нанокомпозитні конденсатори на основі структури GaSe<KNO3> в яких процеси акумуляції і переносу заряду обумовлені квантово-розмірними ефектами. На основі структури GaSe<KNO3>, яка складається з шарів монокристалу селеніду галію та включеннями інтеркалянту KNO3, які знаходяться у Ван-дер-ваальсових щілинах цього кристалу вперше розроблено інтеркаляційний накопичувальний конденсатор, де в якості інтеркалянту викоритовується сегнетоелектричний матеріал KNO3, який в розплавленому стані впроваджується в міжшарові щілини селеніду галію і володіє рекордним значенням питомої електричної ємності 2148 Ф/г. Вперше розроблено інтеркаляційний фільтруючий конденсатор для застосування в діапазоні до 3 кГц,в якому накопичення заряду відбувається між шарами GaSе та нанорозмірними квантовими 3D включеннями сегнетоелектрика KNO3, який володіє високою питомою електричною ємністю, максимальне значення якої складає ~0,5 Ф/г. Вперше розроблено новий нанокомпозитний фотоконденсатор, що містить прозорий для оптичного випромінювання фронтальний шар металу Pb-Sb, фоточутливий напівпровідниковий матеріал GaSe<KNO3> і розташовані на металевому шарі і на напівпровідниковому матеріалі контактні електроди(нікелеві), Даний нанокомпозитний фотоконденсатор в діапазоні частот менших ніж 10^2 Гц при кімнатній температурі володіє високою питомою електричною ємністю ~ (10^-2 - 2)Ф/см2 . Встановлено, що збільшення ємності фотоконденсаторів на основі нанокомпозитного матеріалу GaSe<KNO3> пов'язано з ефектом Максвелла-Вагнера і з вертикальним переносом носіїв між багаточисельними квантовими ямами, розташованими вздовж вісі С кристалу. Ключові слова: нанокомпозитні конденсатори, шаруваті кристали, сегнетоелектрик, інтеркаляція, композитна структура, ємність.