Биков М. О. Моделювання фотоперетворюючих гетероструктур на основі аморфного та монокристалічного кремнію

Мета - вивчення фотоелектричних характеристик фотоперетворюючої структури на основі гетероструктур аморфний-монокристалічний кремній (ГАМК), збільшення ефективності процесів фотоперетворення в ній в комплексі з прийнятними технологічними витратами на виробництво. Об'єкт - фізичні процеси фотогенерації і перенесення заряду у фотоперетворюючих структурах АМК. Методи досліджень - магнетронного напилення плівок, дослідження високотемпературної провідності кремнієвих робочих шарів, метод ІЧ спектроскопії, оптичні і електронно- мікроскопічні методи для аналізу дефектів на поверхні структур з використанням комп'ютерних систем. Результати - розроблено чисельно-аналітичну модель процесу перенесення носіїв у напівпровідникових структурах на основі ГАМК з урахуванням щільності станів у щілині рухливості гідрогенізованого аморфного кремнію. Розроблено пакет програм моделювання аморфних напівпровідникових структур, який дозволяє в кінетичному наближенні проводити розрахунки характеристик аморфних фотоперетворюючих структур і структур на основі ГАМК. Отримано залежності між коефіцієнтом фотоелектричного перетворення і геометричними параметрами аморфних тонкоплівкових структур і визначено оптимальне значення товщини плівки, за якої досягається максимальне фотоелектричне перетворення. Впроваджено - у навчальному курсі "Матеріали мікроелектроніки та методи їх досліджень" ХНУРЕ. Галузь використання - розробка матеріалів для створення сонячних фотоперетворювачів енергії