Флюнт О. Є. Низькочастотна діелектрична поляризація кристалів селенідів індію та галію

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0412U002901

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

25-05-2012

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Проведені дослідження низькочастотних діелектричних спектрів шаруватих кристалів GaSe, InSe та In4Se3 на частотах 20 Гц - 100 кГц за різних температур. Запропонована модель, яка пояснює температурну залежність діелектричної проникності відповідно до оберненого закону Арреніуса в інтервалі домінування спектра, характерного для середовищ зі стрибкоподібним переміщенням носіїв електричного заряду. Виявлена значна залежність дисперсної діелектричної проникності кристалів GaSe від одновісного тиску, прикладеного вздовж нормалі до шарів. У кристалах GaSe, InSe:Cd та In4Se3 встановлена кореляція діелектричної релаксації з кінетикою загасання фотопровідності.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах